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工業(yè)內(nèi)窺鏡無損檢測原理
無損檢測定義在國外，無損檢測[2]的含義相對應(yīng)的英文詞，除了前半部分——即non-destructive的寫法大多相同外，后半部分的寫法就有所不同。如日本習(xí)慣寫作inspection，歐洲國家過去曾寫作flawdetection、現(xiàn)在統(tǒng)一使用testing，美國也使用testing，但大多寫作examination和evaluation。形成的縮略語則分別是NDI、NDT和
發(fā)布時間：2012-05-11 08:35
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工業(yè)內(nèi)窺鏡種類
1.從材料學(xué)而已，內(nèi)窺鏡可分為硬管式和軟管式兩種，又稱硬性內(nèi)窺鏡和軟性內(nèi)窺鏡。 硬性內(nèi)窺鏡硬性內(nèi)窺鏡包括傳像、照明、氣孔三大部分。傳像部分分為物鏡、中繼系統(tǒng)、目鏡組成傳導(dǎo)圖像。照明部分采用冷光源用光導(dǎo)纖維穿入境內(nèi)的方法。氣孔部分作用為送氣、送水、通活檢鉗。軟性內(nèi)窺鏡用纖維光束傳像和導(dǎo)光或用CCD傳導(dǎo)圖像的內(nèi)窺鏡成為軟性內(nèi)窺鏡。由于它具有良好的柔軟性和方便的操作性能.軟性內(nèi)窺鏡的特點為：可方便的進入
發(fā)布時間：2012-05-10 08:38
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什么是工業(yè)內(nèi)窺鏡及其定義
用來直接觀察****內(nèi)部腔體的裝置稱為內(nèi)窺鏡，簡稱內(nèi)鏡。工業(yè)內(nèi)窺鏡可用于高溫、有毒、核輻射及人眼無法直接觀察到的場所的檢查和觀察，主要用于汽車、航空發(fā)動機、管道、機械零件等，可在不需拆卸或破壞組裝及設(shè)備停止運行的情況下實現(xiàn)無損檢測，廣泛應(yīng)用于航空、汽車、船舶、電氣、化學(xué)、電力、煤氣、原子能、土木建筑等現(xiàn)代核心工業(yè)的各個部門。工業(yè)內(nèi)窺鏡還可與照相機、攝像機或電子計算機耦接，組成照相、攝像和圖象處理系
發(fā)布時間：2012-05-10 08:37
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試塊
※強調(diào)等效試塊的作用。 1．常用試塊的結(jié)構(gòu)尺寸、各部位的用途，存在問題；（講義附件8、10、13、18題答案）。 2．三角槽與線切割裂紋的區(qū)別；3．立孔與工件中缺陷的比較：、 4．幾種自制試塊的使用方法； A．奧氏體試塊： B．雙孔法校準(zhǔn)（主要用于縱波斜探頭探傷,如螺栓）（講義附件5、7題答案）。 計算公式：令h2/h1=n； a=[n（t1+f/2）-（t2+f/2）]/(n-1)&hellip
發(fā)布時間：2012-05-09 08:43
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超聲波探頭的工作原理
1．通過壓電效應(yīng)發(fā)射、接收超聲波。 2．640V的交變電壓加至壓電晶片銀層，使面積相同間隔一定距離的兩塊金屬極板分別帶上等量異種電荷形成電場，有電場就存在電場力，壓電晶片處在電場中，在電場力的作用下發(fā)生形變，在交變電場力的作用下，發(fā)生變形的效應(yīng)，稱為逆壓電效應(yīng)，也是發(fā)射超聲波的過程。 3．超聲波是機械波，機械波是由振動產(chǎn)生的，超聲波發(fā)現(xiàn)缺陷引起缺陷振動，其中一部分沿原路返回，由于超聲波
發(fā)布時間：2012-05-09 08:42
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探傷過程中存在的典型問題
不同探頭同一試塊的測量結(jié)果 反射體深度1#探頭2#探頭 橫波折射角聲程橫波折射角聲程mm()mm()mm2021.721.732.824.34024.445.032.549.86025.870
發(fā)布時間：2012-05-08 08:42
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超聲波探頭應(yīng)用舉例
1.斜探頭近場N=a´b´COSb/plCOSa。λ=CS/¦. 直探頭近場N=D/4l。λ=CL/¦. 2.橫波探傷時聲束應(yīng)用范圍:1.64N-3N。 縱波探傷時聲束應(yīng)用范圍:³3N。 雙晶直探頭探傷時,被檢工件厚度應(yīng)在F菱形區(qū)內(nèi)。 3.K值的確定應(yīng)能保證一次聲程的終點越過焊縫中心線，與焊縫中心 線的交點到
發(fā)布時間：2012-05-08 08:41
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超聲波探頭的壓電材料的主要性能參數(shù)
1.壓電應(yīng)變常數(shù)d33: d33=Dt/U在壓電晶片上加U這么大的應(yīng)力,壓電晶片在厚度上發(fā)生了Dt的變化量,d33越大,發(fā)射靈敏度越高(82頁*下一行錯)。 2.壓電電壓常數(shù)g33: g33=UP/P在壓電晶片上加P這么大的應(yīng)力.在壓電晶片上產(chǎn)生UP這么大的電壓,g33越大,接收靈敏度越高。 3.介電常數(shù)e: e=Ct/A[C-電容、t-極板距離(晶片厚度)、A-極板面積(晶片面積)]; C小&r
發(fā)布時間：2012-05-07 08:43
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